巴塞尔大学Nat. Nanotechnol.: 单层MoS2中的自旋极化电子
坡肉先生 坡肉先生 2019-03-12

在低电子密度极限下,库仑相互作用对于确定理想二维电子气(2DEG)的基态至关重要。在这种情况下,库仑相互作用主导着单粒子相空间填充。在硅和砷化镓中,电子通常位于这些低密度下。相反,在过渡金属二硫族化物(TMD)中,可以在实验相关的电子密度下预测2DEG中的库仑相关性。瑞士巴塞尔大学Jonas Gaël Roch团队研究了TMD二硫化钼的门控单层中的2DEG。在9.0 T的磁场和电子浓度高达5×1012 cm-2的情况下,研究人员提出了基态是自旋极化的证据。在四个可用导带中,只有两个被占用。这两个带具有相同的自旋但不同的谷量子数。研究表明,即使在没有磁场的情况下也只占用两个波段。自旋极化随着2DEG密度的降低而增加,表明库仑相互作用是对称性破坏的关键方面。最后提出了交换耦合对齐旋转。波尔半径非常小,以至于相位空间相距很远的电子相互作用也会相互影响。



Roch, J. G., Froehlicher, G., Leisgang, N., Makk, P., Watanabe, K., Taniguchi, T. & Warburton, R. J. Spin-polarized electrons in monolayer MoS2. Nat. Nanotechnol.

Doi:10.1038/s41565-019-0397-y.

https://doi.org/10.1038/s41565-019-0397-y


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