黄维院士联合南京工业大学Wang Lin通过低温溶液方法，合成出了尺寸大、形状规则、不同厚度和高产率的PbI₂晶体。并将PbI₂晶体与几种过渡金属二硫化物单层结合组装。MoS₂的光致发光在MoS₂/PbI₂叠层中得到增强，而在WS₂/PbI₂和WSe₂/ PbI₂叠层中，WS₂和WSe₂的表现出了明显的光致发光猝灭。这归因于PbI₂与这些单层之间的有效异质结形成;在MoS₂/PbI₂叠层中的I型带匹配，其中快速转移的电荷载流子在MoS₂中以高发射效率累积，导致光致发光增强，并且在WS₂/PbI₂和WSe₂/ PbI₂叠层中具有II型，分离的电子和空穴被光捕获，导致光致发光猝灭。结果表明，具有相似电子结构的MoS₂，WS₂和WSe₂单层在与PbI₂接触时显示出完全不同的光-物质相互作用，为设计2D异质结构的器件性能提供了新途径。

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Y. Sun, Z. Zhou, Z. Huang, J. Wu, L. Zhou, Y. Cheng, J. Liu, C. Zhu, M. Yu, P. Yu, W. Zhu, Y. Liu, J. Zhou, B. Liu, H. Xie, Y. Cao, H. Li, X. Wang, K. Liu, X. Wang, J. Wang, L. Wang, W. Huang, Band Structure Engineering of Interfacial Semiconductors Based on Atomically Thin Lead Iodide Crystals. Adv. Mater.

Doi:10.1002/adma.201806562.

https://doi.org/10.1002/adma.201806562