近日，香港科技大学Guijun Li研究团队使用Ni0.88Mg0.12Ox作为空穴传输层（HTL），结合氧化镁（MgO）作为HTL与量子点发光层之间的界面层显著提升了全无机QLED的性能。此外，在10V下，器件亮度超过40000cd m-2，这是迄今为止，基于全无机器件结构所报道的最高亮度数值。
Jiang, Y. et al. All-inorganic Quantum-dot Light-emitting Diodes with Reduced Exciton Quenching by a MgO Decorated Inorganic Hole Transport Layer
DOI:10.1021/acsami.9b01742
AMI 2019
文章链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.9b01742
