了解缺陷的类型，形成能和捕获截面缺陷是有机金属卤化物钙钛矿（OMHP）器件领域的挑战之一。Mahshid Ahmadi等人报道了深层（DL）缺陷及其对单晶钙钛矿（MAPbBr₃）的自由电荷传输性质的影响。结果表明，首次确定非辐射复合的DL缺陷及其在带隙内的位置。另外，研究证实了在MAPbBr₃器件中由子带隙照射产生的霍尔迁移率的增加和空穴传输的增强，而电子载流子寿命主要受陷阱辅助重组的影响。了解DL的精确位置有利于通过晶体生长来控制这些缺陷以消除这些缺陷。

Deep Levels, Charge Transport and Mixed Conductivity in Organometallic Halide Perovskites.

Energy Environ. Sci.

Doi.10.1039/C9EE00311H.

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/ee/c9ee00311h#!divAbstract