基于三价M³⁺的（111）取向的钙钛矿族A₃M₂X₉缺陷，Mercouri G. Kanatzidis团队通过使用混合卤化物而合成出了Cs₃Bi₂I₆Cl₃。密度泛函理论计算表明，增加的维数引起直接带隙，但具有2.07 eV的吸收边缘，几乎与间接带隙化合物Cs₃Bi₂I₉相同。有趣的是，尽管Bi-Cl键将所有八面体结合在一起，但仍缺乏Cl轨道对Cs₃Bi₂I₆Cl₃的带边缘状态的贡献。这凸显了层间相互作用在钙钛矿缺陷族中的重要性，这增强了这些2D和0D材料的有效维数，并可改善其光电性能。然而，激子吸收的变化不能反映自由激子，因为Cs₃Bi₂I₆Cl₃由于自陷激子而表现出宽的光致发光，这似乎在（111）取向的钙钛矿缺陷中是普遍的。

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Kyle M. McCall, Constantinos C. Stoumpos, Oleg Y. Kontsevoi, Grant C. B. Alexander, Bruce W. Wessels, Mercouri G. Kanatzidis. From 0D Cs₃Bi₂I₉ to 2D Cs₃Bi₂I₆Cl₃: Dimensional Expansion Induces a Direct Band Gap but Enhances Electron–Phonon Coupling. Chemistry of Materials

DOI : 10.1021/acs.chemmater.9b00636

https://pubs.acs.org.ccindex.cn/doi/10.1021/acs.chemmater.9b00636