在Au纳米晶上控制实现位点选择性生长半导体晶体具有重大的挑战。近日，山东师范大学Chun-yang Zhang、香港中文大学Jianfang Wang及陕西师范大学Ruibin Jiang等多团队合作，采用湿化学方法（添加少量双功能K₂PtCl₄），成功在金纳米棒(Au NRs)两端选择性生长CeO₂晶体（Au/end-CeO₂）。因Au NRs两端的空间位阻小于侧面的空间位阻，K₂PtCl₄更易在Au NRs两端吸附，从而触发CeO₂前驱体在两端发生氧化还原反应并生长。Au/end-CeO₂富含氧空穴，使得N₂分子易于吸附和活化，再加上该材料特殊的结构，使得其近具有红外光固氮活性。

Henglei Jia, Ruibin Jiang,* Jianfang Wang,* Chun-yang Zhang,* et al. Site-Selective Growth of Crystalline Ceria with Oxygen Vacancies on Gold Nanocrystals for NIR Nitrogen Photofixation. J. Am. Chem. Soc., 2019

DOI: 10.1021/jacs.8b13062

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