通过将GaN与AlN合金化，可以调整AlGaN发光二极管的发射峰位，覆盖几乎整个紫外光谱范围（210-400 nm），使紫外发光二极管非常适合各种领域的应用（生物、环境、工业或医疗）。然而，由于富铝III族氮化物材料固有的性质，深紫外发光二极管仍然表现出相对低的外量子效率。近日，Michael Kneissl等人回顾了AlGaN基深紫外发光器件的最新发展进展。研究人员重点讨论了在缺陷密度，载流子注入效率，光提取效率和散热方面提高性能时所面对的关键障碍。

Michael, K. et al.The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting diode technologies

Nat. Photon. 2019

DOI:10.1038/s41566-019-0359-99

文章链接：https://www.nature.com/articles/s41566-019-0359-9