随着场效应晶体管中半导体通道尺寸的减小，源极和漏极处金属-半导体界面的接触电阻增大，影响了器件的性能。二维(2D)过渡金属二硫化物，如二硫化钼(MoS₂)，已经被证明是超薄场效应晶体管的优良半导体。然而，在金属与二维过渡金属二硫化物的界面上发现了异常高的接触电阻。近年来的研究表明，石墨烯与过渡金属二硫化物以及金属与过渡金属二硫化物间形成的范德华相互作用获得了良好的接触性能。然而，三维金属与单层二维过渡金属二硫化物之间的范德华相互作用尚未得到证实。有鉴于此，Manish Chhowalla等人深入研究了金纳米电极包覆的10nm厚的铟金属与单分子层MoS₂之间的范德华相互作用。扫描透射电子显微镜成像证明了金属铟和二硫化钼间的范德华相互作用。单层MoS₂的铟/金电极的接触电阻为3000±300欧姆，多层MoS₂为800±200欧姆。这些数值是在三维金属电极与二硫化钼界面上观察到的最低值之一，使高性能场效应晶体管的迁移率高达到167±20平方厘米每伏特每秒。

参考文献：Yan Wang, Jong Chan Kim, Ryan J. Wu, Jenny Martinez, Xiuju Song, Jieun Yang, Fang Zhao, Andre Mkhoyan, Hu Young Jeong & Manish Chhowalla*. Van der Waals contacts between three-dimensional metals and two-dimensional semiconductors. Nature. 2019

DOI: 10.1038/s41586-019-1052-3

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