近日，加州大学圣地亚哥分校David P Fenning使用扫描X射线衍射显微镜，研究了CsPbBr3薄膜晶体中晶体生长残余应变，晶体稳定性和局部PL之间的关系。研究人员发现，由结晶冷却引起的面外压缩应变对X射线照射下的材料稳定性是有害的。此外，研究人员还发现，PL由于面外压缩应变而发生红移，因此，PL峰值位置对应变的敏感性表明其可以应用在应力敏感传感器上。研究人员在一些CsPbBr3单晶中观察到相邻晶畴中小的错误取向的形成，表明即使在单晶卤化物钙钛矿中也会发生晶体质量的显着变化。 纳米衍射结果表明，降低局部应变是提高钙钛矿光电子材料和器件稳定性的必要途径。
Li, X. et al. Residual Nanoscale Strain in Cesium Lead Bromide Perovskite Reduces Stability and Shifts Local Luminescence
DOI：10.1021/acs.chemmater.8b04937
Chem. Mater. 2019
文章链接：https://pubs.acs.org.ccindex.cn/doi/10.1021/acs.chemmater.8b04937
