电阻式随机存取存储器可以通过结合动态随机存取存储器的长持久性和闪存的长保留时间的优点，潜在地打开存储器技术应用中的利基区域。最近，基于有机金属卤化物钙钛矿材料的电阻存储器件已经表现出优异的存储特性，例如低电压操作和高ON / OFF比; 这些特性是开发存储器件时低功耗的基本要求。近日，首尔大学Keehoon Kang等人采用非卤化物铅源通过简单的单步旋涂方法沉积钙钛矿薄膜，以在交叉条阵列结构中制造单极电阻存储器件。这些单极钙钛矿存储器件具有高达108的高ON / OFF比，具有相对低的工作电压、良好的耐久性和长的保持时间。

Kang, K. et al.High-Performance Solution-Processed Organo-Metal Halide Perovskite Unipolar Resistive Memory Devices in a Cross-Bar Array Structure

AM 2019

DOI:10.1002/adma.201804841

文章链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/adma.201804841