彭笑刚联合金一政课题组化学计量控制了InP/ZnSe/ZnS核/壳/壳量子点（QD）的核和壳区域，以显着提高其性能，并接近目前最佳的基于CdSe的QD的性能。得到的QD具有近100%的光致发光（PL）量子产率（QY），单指数衰减动态和窄线宽。具有InP / ZnSe / ZnS QD作为发射极的量子点发光二极管（QLED）的外部峰值QY为12.2％，最大亮度> 10,000 cd m^-2，远超过文献报道的无Cd/Pb的QLEDs。该研究为无Cd/Pb量子点的光学和光电子材料提供了一条新途径。

Li, Y., Hou, X., Dai, X., Yao, Z., Lv, L., Jin, Y. & Peng, X. Stoichiometry-controlled InP-based quantum dots: synthesis, photoluminescence, and electroluminescence. J. Am. Chem. Soc.

Doi:10.1021/jacs.8b12908.

https://doi.org/10.1021/jacs.8b12908