近日，浙大彭笑刚和金一政在InP / ZnSe / ZnS核/壳/壳量子点（QD）的核和壳区域内引入化学计量控制，显著提高lnP基QD的性能，接近最先进的CdSe QD的性质。 研究人员得到的QD具有近乎完美的光致发光（PL）量子产率（QY），单指数衰减动态，窄线宽和非闪烁。 基于InP / ZnSe / ZnS核/壳/壳QD的发光二极管（QLED）的最大外量子效率（EQE）为12.2％，最大亮度> 10,000 cd m^-2，大大超过文献报道的无Cd /无Cd QLEDs。 这些研究结果进一步推进了无Cd /Pb  QD在光电方面应用的发展步伐。

Li, Y. et al. Stoichiometry-controlled InP-based quantum dots: synthesis, photoluminescence, and electroluminescence

DOI：10.1021/jacs.8b12908

JACS 2019

文章链接：https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jacs.8b12908