过渡金属硫属元素化物的二维材料可用于产生电子器件的不同组件，包括半导体通道、金属电极和互连。然而，制造器件的过程可能引起缺陷和杂质，使得器件性能的降低。清华大学Tian-Ling Ren和Liying Jiao  课题组研究了二维电子元件可以在一个步骤中同时化学合成和集成，创建二维器件，其中有源层中的每个元件通过共价键而不是物理接口连接。该方法涉及原子层的相位图案化生长，并且使用二维 MoTe₂作为活性材料，研究表明，MoTe₂可用于构建高性能场效应晶体管（FET）和逻辑器件阵列。同时，该技术可以构建具有超短栅极长度的FET，具有垂直互连的双层FET和灵活的器件。

Zhang, Q.; Wang, X.-F.; Shen, S.-H.; Lu, Q.; Liu, X.; Li, H.; Zheng, J.; Yu, C.-P.; Zhong, X.; Gu, L.; Ren, T.-L.; Jiao, L. Simultaneous synthesis and integration of two-dimensional electronic components. Nature Electronics, 2019.

Doi:10.1038/s41928-019-0233-2.

https://doi.org/10.1038/s41928-019-0233-2