与传统晶体管相比，基于自旋而非充电的晶体管的自旋晶体管可能提供非易失性数据存储和改进的性能。目前，自旋晶体管的相关研究仍然是一个相当大的挑战。二维磁性绝缘体，例如三碘化铬（CrI₃），其提供电可切换的磁性顺序和有效的自旋过滤效应，可以为自旋晶体管提供新的操作原理。康奈尔大学Jie Shan 和 Kin Fai Mak课题组报道了基于双门控石墨烯/CrI₃/石墨烯隧道结的自旋隧道场效应晶体管（TFET）。这些器件具有双极性能和隧道电导，这取决于CrI₃隧道势垒中的磁性顺序。栅极电压在自旋翻转转变附近的恒定磁偏置下在层间反铁磁和铁磁状态之间切换隧道势垒，从而在具有大滞后的低电导状态和高电导状态之间有效且可逆地改变器件。通过电控制磁化配置而不是自旋电流，改自旋TFET实现了接近400％的高-低电导率（high–low conductance），这表明其在非易失性存储器应用的开发中具有价值。

Jiang, S.; Li, L.; Wang, Z.; Shan, J.; Mak, K. F., Spin tunnel field-effect transistors based on two-dimensional van der Waals heterostructures. Nature Electronics 2019.

Doi:10.1038/s41928-019-0232-3.

https://www.nature.com/articles/s41928-019-0232-3