二维过渡金属二硫族化物中的电子谷自由度已经通过理论、光学和光电实验进行了广泛研究。然而，不依赖于光学选择的纯谷电流的产生和检测目前未得到证实。普渡大学Zhihong Chen团队报道了谷电流可以通过谷霍尔效应和逆谷霍尔效应，分别在单层MoS2中电诱导和检测。比较了单层和多层样品中非局部电信号的温度和通道长度依赖性，以区分谷霍尔效应和经典欧姆贡献。值得注意的是，在室温下单层样品中观察到谷输运距离为4 μm。该研究将使新一代电子设备使用谷自由度，可用于未来的谷电子学应用。
Terry Y. T. Hung, Kerem Y. Camsari, Shengjiao Zhang, Pramey Upadhyaya and Zhihong Chen. Direct observation of valley-coupled topological current in MoS2. Science Advances. 2019
DOI: 10.1126/sciadv.aau6478.
