近日，KAIST的Sang Ouk Kim和Keon Jae Lee研究团队报道了通过闪光灯退火（FLA）钙钛矿（MAPbBr3）的超快再结晶用于发光二极管（LED）。强烈的近红外（NIR）峰值光谱（830和900nm）闪光灯可以在~320°C内快速加热基于MAPbBr3的LED结构，而不会发生辐射损伤。所制备的钙钛矿活性层十分致密，晶粒减少到~38nm。钙钛矿层的表面粗糙度（均方根（RMS））降低了62％（从8.47到3.22nm），同时抑制了限制钙钛矿LED（PeLED）的电流效率（CE）的漏电流。此外，研究人员还研究了三维温度模拟闪光诱导MAPbBr3再结晶的机理。成功地制备柔性PeLED，与热退火对照组相比，CE增强了252％。
Jung, D. H. Kim, S. O. Lee, K. J. et al.Flash-Induced Ultrafast Recrystallization of Perovskite for Flexible Light-Emitting Diodes. Nano Energy 2019.
DOI:10.1016/j.nanoen.2019.04.061.
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211285519303623
