近日，德克萨斯大学Kyeongjae Cho和汉阳大学Myung Mo Sung研究团队提出了一种基于氧化锌复合纳米层的量子限制传输，其具有迁移率边缘量化的导电状态，并可应用于开发具有稳定中间态的多值逻辑晶体管。具有嵌入非晶氧化锌区域中的氧化锌量子点的复合纳米层在迁移率边缘处产生量化的导电状态，研究人员将其称为“迁移率边缘量化”。由于其低的状态密度，独特的量化导通状态有效地限制了载波的占用数量，使得电流饱和。研究人员通过应用由氧化锌复合纳米层和有机势垒组成的混合超晶格作为晶体管中的沟道来实现多值逻辑晶体管。此外，由于复合纳米层中量子化导电态的电流饱和，超晶格沟道产生多个状态，所制备的多值晶体管具有优异的性能特性，运行稳定可靠，无电流波动，可调节多级状态。

Lee, Y. Cho, K. Sung, M. M. et al. ZnO composite nanolayer with mobility edge quantization for multi-value logic transistors. Nature Communications 2019.

DOI:10.1038/s41467-019-09998-x

https://www.nature.com/articles/s41467-019-09998-x.pdf