过渡金属双卤代物的多种结构相因其可调的化学和电子性质而引起广泛关注。近日,湖南大学段曦东与加州大学洛杉矶分校段镶锋等多团队合作,报道了一种制备结构相可调的超薄CoSe纳米板的化学气相沉积方法。通过对生长温度的精确调控,可以选择性地制备出厚度分别为2.3 nm和3.7 nm的二维层状四方CoSe纳米片和非层状六角形CoSe纳米片。x射线衍射、透射电镜和选定区域电子衍射研究表明,这两种纳米片都是高质量的单晶。电输运研究表明,正方和六方CoSe纳米片均具有较强的厚度可调电性能和优良的击穿电流密度。2D六方CoSe纳米片显示出金属性,其导电率高达6.6×105 S m−1,击穿电流密度高达3.9 × 107 A cm−2;而四方CoSe纳米片具有稍低的导电率8.2×104 S m−1,在较低的场具有角相关磁电阻和弱反局域效应。
Huifang Ma, Xidong Duan,* Xiangfeng Duan*, et al. Phase-Tunable Synthesis of Ultrathin Layered Tetragonal CoSe and Nonlayered Hexagonal CoSe Nanoplates. Adv. Mater. 2019,
DOI: 10.1002/adma.201900901
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201900901