通过湿化学调整薄氧化物涂层的能力对于许多应用是期望的，但它仍然是关键的合成挑战。洛桑联邦理工学院(EPFL)Raffaella Buonsanti团队引入了一种普适性的胶体原子层沉积（c-ALD）合成，以生长具有厚度可调的氧化铝壳，其周围的各种组成的纳米晶体核跨越离子半导体（即CsPbX₃，X = Br，I，Cl）金属氧化物和金属（即CeO₂和Ag）。与气相ALD相比，这种新开发的合成具有保持纳米晶体核的胶体稳定性，同时将壳厚度控制在1至6 nm的优点。通过原位X射线衍射研究了CsPbX₃钙钛矿纳米晶体中的阴离子交换反应。

Loiudice, A.; Strach, M.; Saris, S.; Chernyshov, D.; Buonsanti, R. J. Am. Chem. Soc. 2019.

Doi.org/10.1021/jacs.9b02061.

https://doi.org/10.1021/jacs.9b02061