分子掺杂半导体可以精确调控多余的电荷载流子，从而实现许多至关重要的技术。具有高表面积与体积比的钙钛矿纳米晶体特别适合于通过基态分子电荷转移进行掺杂。近日，美国国家可再生能源实验室Joseph M. Luther和Jeffrey L. Blackburn使用物理吸附的分子掺杂剂详细展示了钙钛矿纳米晶体阵列的电子特性的可调性。研究人员首先通过红外和光电子光谱确认掺杂剂分子掺入到电子耦合的CsPbI₃纳米晶体阵列。研究发现电子受体掺杂剂F₄TCNQ可以增强CsPbI₃的导电性，时间分辨光谱测量揭示了在存在过量电子或空穴的情况下俄歇介导的重组的时间尺度。微波电导和场效应晶体管测量表明，通过F₄TCNQ掺杂纳米晶体阵列可以改善局部和空穴迁移率。最后，光激发p型阵列中改进的空穴迁移率显著增强了光电晶体管的性能。

Gaulding, E. A. Luther, J. M. Blackburn, J. L. Conductivity Tuning via Doping with Electron Donating and Withdrawing Molecules in Perovskite CsPbI3 Nanocrystal Films. AM 2019.

DOI:10.1002/adma.201902250

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/adma.201902250