有机路易斯酸三（五氟苯基）硼烷[B(C₆F₅)₃]添加剂可提升各种光电/电子器件（包括发光二极管，太阳能电池和有机薄膜晶体管（OTFT））的操作特性和性能。然而，迄今为止大多数工作仅限于B(C₆F₅)₃。近日，阿卜杜拉国王科技大学Alexandra F. Paterson和Thomas D. Anthopoulos研究团队使用双（五氟苯基）锌[Zn(C₆F₅)₂]作为小分子的高空穴迁移率OTFT中的替代路易斯酸添加剂。材料和器件特性的证明Zn(C₆F₅)₂具有同时作为p-掺杂剂和微观结构改性剂的作用。正是这些协同效应的组合导致OTFT具有21.5cm² V^-1s^-1的最大空穴迁移率值。这项工作不仅突出了Zn(C₆F₅)₂作为下一代光电子器件的有希望的新添加剂，而且为寻找高迁移率有机半导体开辟了新的途径。

Paterson, A. P. Anthopoulos, T. D. et al. Addition of the Lewis Acid Zn(C₆F₅)₂ Enables Organic Transistors with a Maximum Hole Mobility in Excess of 20 cm2 V⁻¹ s⁻¹. AM 2019.

DOI:10.1002/adma.201900871

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/adma.201900871