在量子点发光二极管（QLED）的研究中，即使是最先进的成就，仍然长期存在电荷平衡问题，即电子注入效率远高于空穴注入效率。近日，河南大学Huaibin Shen和 Lin Song Li研究团队通过精确控制壳生长，报道了高亮度Zn_1-x Cd_xSe / ZnSe / ZnS量子点的专用设计和合成，其与器件中相邻空穴传输层能级匹配。这种基于Zn_1-xCd_xSe的QLED的峰值外量子效率（EQE）高达30.9％，最大亮度超过334 000 cd m^-2，在高电流密度下滚降效率非常低（EQE≈25％） @电流密度为150 mA cm^-2），100 cd m^-2时的T₅₀达到≈180000 h。这些非凡的性能使得这项工作是迄今为止通过同时实现高发光和平衡电荷注入的文献中报道的所有溶液处理的QLED中是最佳的。这些主要归功于中间ZnSe层与超薄ZnS外层作为壳材料的组合以及用 2‐ethylhexane‐1‐thiol的表面改性，这可以显着提高空穴注入效率，从而导致更均衡的电荷注入。

Song, J. Shen, H. Li, L. et al. Over 30% External Quantum Efficiency Light‐Emitting Diodes by Engineering Quantum Dot‐Assisted Energy Level Match for Hole Transport Layer. AFM 2019.

DOI:10.1002/adfm.201808377

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201808377