AMI:中间相卤化物交换策略助力高质量CsPbBr3薄膜
TanK 钙帮小弟 2019-06-01

        无机卤化钙钛矿CsPbBr3由于其改善的稳定性成为用于光电应用的杂化钙钛矿材料的有前途的替代物之一。然而,CsBr前体材料固有的低溶解度限制了溶液法制备的CsPbBr3薄膜的质量,特别是厚度,这阻碍了器件性能的进一步优化。近日,西安电子科技大学Weidong ZhuChunfu Zhang报道了一种简便的中间相卤化物交换反应,它可以打破溶液工艺制备的CsPbBr3薄膜的厚度限制,因为它避免使用低溶解度的CsBr。此外,卤化物交换后的CH3NH3I副产物可引发有益的奥斯特瓦尔德熟化过程,以促进薄膜中的晶粒粗化。因此,可以实现由[100]优先的微米级晶粒组成的均匀平坦,纯相和紧凑的CsPbBr3膜。基于这种薄膜的碳基全无机光电探测器产生0.35A W-1的最大光响应率和1.94×1013Jones的特定探测率以及0.58μs的响应时间。

Zhu,W. Zhang, C. et al. Intermediate Phase Halide Exchange Strategy toward High-Quality, Thick CsPbBr3 Film for Optoelectronic Application. AMI 2019.

DOI:10.1021/acsami.9b06427

https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.9b06427



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