具有高相变温度（Tc）的铁电体是实际应用中不可缺少的条件。已经发现应变工程和同位素效应都能有效地改善铁电材料系统中的Tc。然而，前一种策略似乎更倾向于在无机铁电薄膜中工作，而后者也局限于氢键合铁电体。单氟化分子在几何上与其母体分子非常相似，并且用F原子取代H可在分子上引入手性中心以模板化或稳定极性结构。氟化有机分子的旋转阻碍增加，导致Tc显着增加。南昌大学熊仁根和Yuan‐Yuan Tang等人通过将H/F取代的分子设计策略合成了有机-无机钙钛矿铁电（吡咯烷）CdCl3，即两种高Tc手性钙钛矿铁电体，将铁电工作温度范围扩展到室温。这一发现为调节铁电体中的Tc和设计高Tc分子铁电体提供了一种新的有效方法。
Tang, Y.‐Y., Ai, Y., Liao, W.‐Q., Li, P.‐F., Wang, Z.‐X., Xiong, R.‐G., H/F‐Substitution‐Induced Homochirality for Designing High‐Tc Molecular Perovskite Ferroelectrics. Adv. Mater. 2019, 1902163.
https://doi.org/10.1002/adma.201902163
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201902163
