锑烯(Antimonene)是一种具有基本带隙和理想稳定性的新型半导体，最近已经通过实验实现。然而，晶圆级单晶锑烯的外延生长仍然是一项艰巨的挑战。南京理工大学曾海波、Shengli Zhang和Harald Fuchs等人选择Cu（111）和Cu（110）作为基底，通过分子束外延（MBE）制造高质量的单晶锑烯。表面合金在Sb沉积和后退火后在两个基底上自发形成，这两个基底显示出具有不同晶格常数的三重和双重对称性。增加覆盖率产生了两种原子类型的锑烯的外延生长，两者都呈现六方晶格但具有显着的晶格常数差异。研究结果还揭示了应变诱导的可调带隙致，在不同基底上外延生长锑烯的电子性质可以通过基底诱导的应变和应力来调节。

Niu, T., Zhou, W., Zhou, D., Hu, X., Zhang, S., Zhang, K., Zhou, M., Fuchs, H., Zeng, H., Modulating Epitaxial Atomic Structure of Antimonene through Interface Design. Adv. Mater. 2019, 1902606.

https://doi.org/10.1002/adma.201902606

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201902606