天然衬底的可用性是依赖于外延膜的微电子技术发展的基石。如果没有原生基底，虚拟衬底（在结构不同的衬底上外延生长的结晶缓冲层）提供了一种解决方案。可行的虚拟衬底需要以高速率生长高质量的薄膜，以满足商业化大规模生产。宾夕法尼亚州立大学Roman Engel-Herbert团队报道了SrTiO₃的生长速率超过600 nm hr^-1。与通过常规方法在硅上生长的SrTiO₃相比，生长速率增加了十倍，这是通过在混合分子束外延中的自调节生长窗口实现的。虚拟衬底克服硅上复杂氧化物的材料集成挑战，为超过摩尔时代和硅集成量子计算硬件开发新电子器件开辟了道路。

Lapano, J., Brahlek, M. et al. Scaling growth rates for perovskite oxide virtual substrates on silicon. Nat. Commun. 10, 2464, 2019

Doi:10.1038/s41467-019-10273-2.

https://www.nature.com/articles/s41467-019-10273-2