热管理变得越来越重要，尤其是在小型化的现代设备中，那么开发具有电绝缘的高导热材料至关重要。澳大利亚迪肯大学Lu Hua Li和英国贝尔法斯特女王大学Elton J. G. Santos团队报道，高质量的单原子薄六方氮化硼（BN）在室温下的导热率（κ）为751 W/mK，是所有半导体和绝缘体中每单位重量的第二大κ。原子级薄BN的κ随厚度增加而减小。分子动力学模拟再现了这一趋势，同时密DFT计算揭示了主要的散射机制。单层至三层的BN在300至400 K的热膨胀系数也是首次通过实验测量。由于其宽带隙、高导热性、出色的强度、良好的柔韧性、出色的热稳定性和化学稳定性，原子级薄BN是在下一代柔性电子器件的散热中潜力无限。

Cai, Q., Scullion, D. et al. High thermal conductivity of high-quality monolayer boron nitride and its thermal expansion. Sci. Adv. 5, eaav0129, 2019

Doi:10.1126/sciadv.aav0129.

https://advances.sciencemag.org/content/5/6/eaav0129