目前，几乎所有晶体管的主要操作机制依赖于半导体沟道中的电场效应，以将其导电性从导通“导通”状态调节到非导通“截止”状态。随着晶体管继续缩小以提高计算性能，纳米级场效应操作的物理限制开始引起不可避免的漏电，这对计算性能是不利的。美国罗彻斯特大学Stephen M. Wu采用了一种全新的操作机制。通过薄膜和铁电体的纳米级应变工程，过渡金属二硫化物MoTe₂可以在场效应晶体管几何结构中，通过1T'-MoTe₂（半金属）相与半导体MoTe₂之间的电场诱导应变可逆地切换。这种用于晶体管切换的替代机制避开了传统场效应晶体管中的所有静态和动态功耗问题。研究人员在室温下实现了沟道电导率的大的非易失性变化（G_on/G_off≈10⁷对比对照组中的G_on/G_off≈0.04）。铁电器件有可能在atoujoule/bit级别达到亚纳秒级非易失性应变切换，可应用于超快低功耗非易失性逻辑和存储器。

Hou, W., Azizimanesh, A. et al. Strain-based room-temperature non-volatile MoTe2 ferroelectric phase change transistor. Nat. Nanotechnol., 2019

Doi:10.1038/s41565-019-0466-2.

https://www.nature.com/articles/s41565-019-0466-2