传统的发光二极管（LED）在低电流下就存在效率下降，这是由于非辐射复合超过低载流子密度下的辐射复合。为了克服这一普遍问题，国际商业机器公司（IBM）T J Watson研究中心的Ning Li等人利用新型量子阱设计和高质量界面抑制非辐射复合并增强辐射复合，在超低电流和低电压下开发高效LED。在低电流密度小于1×10^-4 A cm^-2时，该器件表现出接近100%的内部量子效率，比传统LED低三个数量级。LED偏压降低到光子电压（hν/q）以下约30％。随着LED内部量子效率扩展到更小的电压和电流，使得诸如高效电致发光冷却的新现象可能实现。

Li, N., Han, K. et al. Ultra-low-power sub-photon-voltage high-efficiency light-emitting diodes. Nat. Photonics, 2019

Doi:10.1038/s41566-019-0463-x.

https://www.nature.com/articles/s41566-019-0463-x