界面热边界电阻（TBR）在现代电子设备的热管理中起着关键作用。特别是，TBR可以主导散热，并且随着具有电子和热应用的新型纳米材料的不断出现而变得越来越重要。加州大学Yongjie Hu课题组报道了关于金属-黑磷（BP）界面上依赖于晶体取向的热传输的研究，并观察了源自内在结构的高度各向异性TBR。测量结果表明，跨平面界面的金属-半导体TBR分别比扶手椅和Z字形方向界面的金属-半导体TBR高241％和327％。研究者使用DFT衍生的全声子色散关系和分子动力学模拟，进行原子从头计算以分析各向异性和温度依赖性TBR。测量和建模工作表明，这种高度各向异性的TBR可归因于固有能带结构和声子光谱传输。此外，不同分支之间的声子跳跃对于调节界面传输过程是重要的，但具有方向偏好。

Man Li, Joon Sang Kang, Huu Duy Nguyen, Huan Wu, Toshihiro Aoki, Yongjie Hu, Anisotropic Thermal Boundary Resistance across 2D Black Phosphorus: Experiment and Atomistic Modeling of Interfacial Energy Transport. Advanced Materials, 2019.

DOI: 10.1002/adma.201901021

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201901021