低维钙钛矿因其具有高激子结合能被认为是发光应用的良好候选者。然而，单层二维（2D）钙钛矿受到陷阱辅助重组的强烈限制，并且遭受低发光产率，妨碍了它们在电致发光器件中的应用。近日，意大利纳米科学与技术中心Annamaria Petrozza研究团队通过合成和缺陷工程策略来克服这些问题。研究人员采用金属掺杂（Mn ²⁺和Eu ³⁺）在2D钙钛矿NMA ₂PbX ₄（NMA = 1-萘基甲基铵）中引入发光杂质。通过温度依赖性和时间分辨光谱，证明了向Mn ²⁺中心的有效能量转移。这避免了在低效重组通道中漏光的光激发物质，增强了光致发光并使掺杂膜中的量子产率超过20％。最后，在发光二极管结构中实现了Mn掺杂的NMA ₂PbBr ₄的电致发光，并显示了来自Mn ^{2+ 4}T ₁→⁶A ₁跃迁的电致发光。

Cortecchia, D. Petrozza, A. et al. Defect Engineering in 2D perovskite by Mn (II) Doping for Light-Emitting Applications. Chem 2019

DOI:10.1016/j.chempr.2019.05.018

https://www.cell.com/chem/fulltext/S2451-9294(19)30228-1#%20