Nano Research: 缺陷BN纳米片中嵌入具有高自旋态的单金属原子位点可促进电催化氮还原
雨辰 雨辰 2021-04-12

与传统高温高压的Haber-Bosch合成氨相比,电催化氮气还原反应可实现常温常压环境条件下的氨生产,在经济和技术路线上具有明显的优势,已受到研究者的广泛关注。然而,设计制备高效选择性地将N2转化为氨的电催化剂仍是一项较大的挑战。

有鉴于此,上海工程技术大学安炜教授等人,利用密度泛函理论(DFT)计算方法,系统研究了二维氮化硼(BN)纳米单层缺陷位内嵌入的9种IIIB-VB族过渡金属(M)单原子活性位点的电催化氮还原性能(eNRR)。

本文要点

1研究发现,电催化氮还原顺序加氢基元步骤中存在着活性位点的磁涨落,揭示了单原子活性位的电子自旋态在调节eNRR中电位决定步骤中的重要作用,若MN2B2活性位具有高自旋磁矩(μ),则有利于降低eNRR的极限电位。

2计算结果表明,CrN2B2,VN2B2,MoN2B2活性位点对eNRR具有高的活性和选择性,非对称性N2B2配体优于常见的单一配体。

3提高MN2B2活性位M中心的电子自旋态,有助于打破eNRR关键含氮反应中间体(*N2H/*N2和*NH2/*N2) 吸附能之间的线性比例关系,活性位适中的氮亲合性对高效的eNRR至关重要。

总之,该工作为IIIB-VB族过渡金属(M)单原子活性位点用于高效电催化氮还原的设计提供了理论依据。

参考文献:

Cong Fang et al. Single-metal-atom site with high-spin state embedded in defective BN nanosheet promotes electrocatalytic nitrogen reduction. Nano Research, 2021.

DOI: 10.1007/s12274-021-3373-4

https://doi.org/10.1007/s12274-021-3373-4


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