最近报道的六方IV族材料是实现与电子设备紧密集成的高效发光的有前景的平台。高质量的晶体是排除结构缺陷影响，评估这些材料的固有电子和光学性能的关键。近日，埃因霍温科技大学Marcel A. Verheijen等明确了材料中以前未知的具有I3型基础堆垛层错的局部平面缺陷，并研究其结构和电子性能。
本文要点：
1）作者通过电子显微镜和原子建模，重建和可视化该堆叠缺陷及其在晶体中的终止位错。
2）通过光致发光测量和能带结构计算，作者得出结论，I3缺陷不会在六方锗和六方硅带隙内产生态。因此，该缺陷不会损害六方晶格硅锗系列材料的光电性能。
3）作者还发现I3缺陷的性质可能在hex-III-Ns类材料中扮演重要角色。
鉴别新发现材料(如六方IV族)中的主要缺陷，对未来光电器件技术的发展至关重要。
Elham M. T. Fadaly, et al. Unveiling Planar Defects in Hexagonal Group IV Materials. Nano Lett., 2020
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c00683
