超快电荷转移过程提供了一种在直接接触的过渡金属二硫属化物(TMD)层中产生层间激子的简便方法。由TMD/hBN/TMD组成的更复杂的异质结为控制层间激子性质和实现新的激子现象提供了新的途径，如激子绝缘体和凝聚体，其中期望更长的寿命。

近日，劳伦斯伯克利国家实验室Yoseob Yoon实验研究了MoSe₂和WSe₂单层之间由1 nm厚的hBN间隔层组成的异质结中的电荷转移动力学。

文章要点

1）研究人员观察到空穴通过hBN势垒从MoSe₂到WSe₂的转移，时间常数为500 ps，这比没有隔离物的TMD层之间的空穴转移慢3个数量级以上。

2）此外，研究人员还观察到在高激发密度下，层间电荷转移和层内激子−激子湮没过程之间的强烈竞争。

研究工作为理解TMD/hBN/TMD异质结中的电荷转移路径，从而有效地产生和控制层间激子提供了可能。

参考文献

Yoseob Yoon, et al, Charge Transfer Dynamics in MoSe₂/hBN/WSe₂ Heterostructures, Nano Lett., 2022

DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c04030

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c04030