在魔角附近，强相关性驱动了扭曲双层石墨烯（tBG）中许多有趣的相，包括非常规超导和chern绝缘。相关性是否可以在中间（2°）扭转角调节tBG中的对称性破坏相，仍然是一个悬而未决的基本问题。加州大学伯克利分校Alessandra Lanzara使用ARPES研究了多体相互作用和位移场在中间（3°）扭转角下对tBG器件能带结构的影响。

本文要点

（1）研究在K点观察到了与层和掺杂相关的能带重整化，这与Hartree–Fock相互作用的莫尔模型一致。研究提供了相关增强反转对称性破坏的证据，表现为狄拉克点处的间隙可随掺杂而调谐。

（2）这些结果表明，即使在中等扭转角下，电子相互作用也在tBG的物理中发挥着重要作用，并为莫尔异质结构中的能带结构和对称性破坏相的工程化提供了一条新的途径。

Nicholas Dale, et al. Layer-Dependent Interaction Effects in the Electronic Structure of Twisted Bilayer Graphene Devices. Nano Letters. 2023

DOI：10.1021/acs.nanolett.3c00253

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c00253